型号:

PSMN2R2-30YLC,115

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN2R2-30YLC,115 PDF
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.15 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.95V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3310pF @ 15V
功率 - 最大 141W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装 LFPAK,Power-SO8
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-6728-1
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